11月26日，晶圆代工厂商联电与美光科技宣布达成全球和解协议，双方将各自撤回向对方提出的诉讼，同时联电将向美光一次支付金额保密之和解金，且双方将共创商业合作机会。

 

联电与美光的诉讼案源自于2016 年5 月，联电与福建晋华签署了合作协议。依据该协议，联电与晋华共同开发两代动态随机存取记忆体(DRAM) 制程。协议中所开发的DRAM 制程并非最新技术，而是与2012 年已用于量产技术相似的旧技术。

 

然而，有3 位参与DRAM 合作案的台湾美光前员工，却违反与联电签订的雇佣合约与声明书，携带前公司信息进入联电并于工作中参考，又将机密资料转移给晋华，美光因此在台湾起诉联电，同年又在美国对联电、晋华提起诉讼，随后美国司法部开始调查。

 

去年10 月28 日，联电对窃取美光商业机密一案认罪，遭美国司法部处以6,000 万美元罚金。

 

联电当时指出，在与美国司法部的和解协议中，美国司法部同意撤销对联电原来包括共谋实施经济间谍活动、共谋窃取多项美光营业秘密和专利有关等指控。联电承认侵害一项营业秘密，同意支付美国政府6,000 万美元的罚金，并在3 年自主管理的缓刑期间内与美国司法部合作。

 

不过，有媒体报道称，联电虽然未透露和解金的具体金额，但并不会对联电财务造成影响。

 

众所周知，美光是全球知名的存储器厂商，其产品被广泛应用于计算、网络、服务器应用，到移动、嵌入式、消费类、汽车和工业设计等领域。此外，美光也是全球专利持有数量最多的公司之一。联电披露，美光拥有总数超过47,000件的全球专利，积极大幅投资于先进研发及制造。

 

而联电作为为半导体晶圆代工领域的全球领导者之一，专注于逻辑及特殊技术，为跨越电子行业的各项主要应用提供高品质的晶圆制造服务。其完整的制程技术及制造解决方案包括逻辑/混合信号、嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性存储器、RFSOI及BCD。

 

据悉，联电现共有12座晶圆厂，月产能总计约80万片8英寸约当晶圆。