英特尔宣布，其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地研究人员成功组装了业界首台商用高数值孔径极紫外光刻设备（High NA EUV）。

英特尔表示，该设备（TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV）将陆续完成多项校准步骤，预计将于2027年投入生产运用，并率先应用于Intel 14A制程。

英特尔指出，High NA EUV光刻设备的高精准度和可扩展性，将助力英特尔在先进芯片开发和下一代处理器生产中走在市场前列。

日前，ASML在高数值孔径实验室也取得了重大突破，成功印制出10纳米的高密度线路图案，刷新了EUV光刻设备的分辨率纪录。这一突破成为Intel布署商用High NA EUV机台关键一步。同属，这一成就也验证了ASML的合作伙伴蔡司（ZEISS）在High NA EUV光学设计方面的创新实力。

英特尔强调，经过研发人员初步校准该设备机台的光学元件、感测器和平台后，High NA EUV设备已展现出卓越的图像打印能力。当与英特尔晶圆代工服务的其他领先制程技术相结合时，预计打印尺寸将比现有EUV机台缩小1.7倍，密度提高2.9倍。

相较于传统EUV设备，高数值孔径EUV设备具有更高的成像对比度和更低的进光量需求，能够缩短每层打印时间，提高晶圆厂产能。英特尔计划在未来产品验证和量产阶段采用不同数值孔径的EUV设备，结合先进的制程技术，以降低成本、提升性能。

英特尔称，将持续引领半导体产业发展更小、更密集的图案化（pattterning）技术，进一步延伸摩尔定律。