梅特勒-托利多:湿法设备的水质分析与控制

2021-05-12 作者: 微电子制造

10月29日,2020中国半导体设备年会(第八届)在合肥成功召开,产业大咖汇聚一堂,共同为中国设备产业出谋划策。在大会主题演讲环节,梅特勒-托利多微电子行业销售经理马檀主题演讲题目为《湿法设备的水质分析与控制》。

 

梅特勒-托利多微电子行业销售经理马檀

 

据马檀介绍,梅特勒-托利多是一家总部在瑞士苏黎世的公司,专注于精密仪器,全球14200名员工,去年总的营业额为30亿美金。目前在中国有四个生产基地,总部位于上海,在常州有两个工厂,成都建有一个工厂,全国共有20多个办事处,从而做到贴近用户的经营销售和服务。

 

马檀表示,在所有行业里面用水量最大的是微电子行业,且使用的是超纯水。据他现场举例,即将上马的厦门天马项目达到了2800吨每小时的用水量。从整个用水的流程来看,原水经过一些预处理后,还要涉及抛光、光刻、蚀刻、研磨设备,做清洗、使用、浸泡跟化学品的调配等。使用完后,会有三个方向,如过干净则进行回收;无法回收则进行废水处理,达到排放标准再排放;如果存在真贵的化学成分,还需要再进行回收利用。

 

晶圆生产的过程中与水密切相关,每一道工序的走向都要做密切分析。在湿制程中,有外延、光刻、蚀刻等等许多工序。每道晶圆要进行很多次的循环,堆叠清洗。早在上世纪70年代,过程中会存在20个清洗步骤。如今,三维晶圆加工的技术出现后,清洗的步骤越来越多,可能已经到了500步。

 

晶圆清洗的目的和作用,是在于去除晶圆表面的颗粒和一些有机物、金属等避免对后面的良率产生不良的影响,最常见的方法是测其中的电导率以及有机金属的含量。此后发现需求不能满足,所以开始测PH值,控制清洗剂的酸碱度。

 

在化学机械抛光(CMP)工序中,该工序目的是用于在加工步骤之间磨平晶圆表面。CMP包括化学蚀刻和机械抛光的组合,使用研磨颗粒和浆液中的 化学物质以及抛光片来磨平微观表面特征。除了这种机械抛光,浆液中的化学物质也会与要去除的材料发生反应,磨料加速了这种弱化过程和抛光。期间PH要保持在10-11.5之间。在期限内给过程中,可以使用不同的清洗技术,也需要控制电阻,PH和流量控制。

 

梅特勒-托利多的解决方案可以实现化学品浓度在线测试,传感器使用PEEK、PFA材质,具有高耐腐蚀,属于无液接金属件。其温度范围广(PEEK耐温高达180摄氏度)。此外,梅特勒-托利多的变送器M800/M400四通道设计,可以和其他参数同时进行检测,对于显影液等特殊化学品,可以自定义曲线实现高精度测量。公司拥有覆盖产业链上下游的实验室解决方案,有化学品成分监测及在线监测实现精确控制、为质量体系的安全性提供准确称量、化学品多参数测定、完整的热分析解决方案。

 

最后,马檀总结道,公司每年投入9%的研发费用,不断开拓创新,帮助用户提高效率,降低成本,同时控制好质量。

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