此举也宣告DRAM产品结构再度洗牌，并反映韩系原厂正加速将产能转向高阶产品，如高频宽记忆体（HBM）与DDR5。

而台系内存厂如华邦电、南亚科因主力产品放在DDR4，有望受惠于三星停产DDR4的动作。

业界人士指出，早在数月前，已传出三星有意停产部分DDR4产品，主要原因包括：

一、为集中资源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线；二、陆厂长鑫存储持续扩张DDR4产能，并采取低价抢市策略，导致市场竞争加剧与利润压缩。

此外，三星的全球市场亦受到地缘政治因素干扰。特朗普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾出口至美国的记忆体模组与SSD等产品课征32％关税。

虽然晶圆与裸晶型态HBM、DDR与NAND不在此波课税清单中，但其终端模组产品需求恐将受到压抑，进一步拖累全球消费性记忆体市场表现。

而陆厂长鑫存储与长江存储积极进军高阶记忆体市场。外媒指出，长鑫存储正以2026年量产HBM3为目标，并预计2027年导入HBM3E，未来或将实现中国大陆HBM自给自足的目标。

值得注意的是，随着DRAM市场的竞争日益激烈，三星不仅要面对来自美光和SK海力士的竞争，还要保持技术的持续创新和及时的升级转换，占领更多的市场份额。

整体而言，业者认为，内存市场短期价格将由备货与供给收缩支撑，但中长期仍需关注中国大陆扩产进度、美国关税政策走向及原厂资本支出策略。