这款HBM3E内存尤其受到英伟达的关注，将被用于其即将推出的H200产品。据悉，H200计划在今年第二季度发布，并将配备六款HBM3E内存芯片。此外，美光还计划在今年3月的英伟达GTC会议上，详细介绍其即将推出的36GB HBM3E芯片。

相比于普通的HBM3，HBM3E的内存带宽有了显著的提升，从1TB/s增加到了1.2TB/s，尽管提升幅度看似不大，但实际上对于性能的影响是明显的。此外，HBM3E还将每个芯片的最大容量提升到了36GB。尽管美光为英伟达H200提供的HBM3E每个芯片容量为24GB，与HBM3的最大容量相当，但仍然表现出了其强大的性能。这些芯片还支持8个高堆栈，尽管理论上HBM3E可以支持的最大堆栈数为12个。

美光公司还声称，其HBM3E内存的功耗比竞争对手三星和SK海力士低30%。后者也有自己的HBM3E实现，但据美光称，其功耗较高。

尽管美光并未明确表示是否为英伟达H200的唯一HBM3E供应商，但考虑到英伟达对AI GPU的巨大需求，美光可能并非唯一供应商。据报道，英伟达已向美光和SK海力士预购了价值13亿美元的HBM3E内存。SK海力士的内存带宽为1.15TB/s，低于美光的HBM3E，且功耗较高，但未来考虑到市场需求，英伟达或许会做不一样的选择。

虽然美光不能声称其HBM3E是速度最快的，因为三星的Shinebolt HBM3E内存带宽额定为1.225TB/s，但美光至少可以自豪地宣称自己是第一个实现量产的公司。三星和SK海力士尚未表示他们已经实现了量产，从这个角度来看，美光在这个方面暂时领先。