英特尔和联电宣布,双方将合作开发12纳米半导体工艺平台,以应对移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。这项长期协议将英特尔在美国的大规模制造能力与联华电子在成熟节点上的丰富晶圆代工经验结合在一起。该项目将在亚利桑那州工厂生产,预计 2027 年投产。
英特尔代工服务(IFS)将在其位于亚利桑那州的晶圆厂生产新节点,新12nm工艺将主要用于移动通信基础设施和网络应用,并采用行业标准设计工具和工艺设计套件,以简化外部客户的采用。
这些晶圆厂已经生产了英特尔现有的10nm和14nm节点。鉴于这些节点已经生产多年,这些工具和晶圆厂大多已经折旧,这为英特尔留下了空间,可以采用许多相同的工具来生产新的12nm节点,以减少额外的资本支出并实现利润最大化。
对于联华电子来说,这笔交易使其能够快速获得英特尔巨大的生产能力、现有的外部供应商供应链以及已经到位的劳动力。这将帮助联华电子在美国市场替代外国采购芯片。联华电子将负责将新节点推向市场的上市活动,并利用其现有的渠道、客户和关系。
英特尔已经在12nm节点上拥有可与12nm相媲美的芯片,例如14nm、10nm甚至22nm。新的12nm节点将作为一个更新、更高效的节点介入,并增加联华电子的特殊技术,使其具有更多选择性。
这项新协议将使英特尔与美国GlobalFoundries和台积电等竞争对手展开竞争。然而,英特尔没有透露与联华电子达成协议的财务细节。此外,英特尔先前还与领先的成熟节点代工厂Tower Semiconductor 签订了半导体生产协议。
英特尔的目标是到2030年成为世界第二大晶圆代工厂。英特尔高级副总裁兼英特尔代工服务(IFS)总经理Stuart Pann表示:“台湾一直是亚洲和全球半导体以及更广泛的技术生态系统的重要组成部分。英特尔致力于与联华电子等台湾创新公司合作,以更好地服务全球客户。”
联华电子联席总裁Jason Wang表示:“我们与英特尔合作开发具有FinFET功能的12纳米工艺,这是推进我们追求具有成本效益的产能扩张和技术节点进步战略的一步。”
英特尔长期以来处于工艺技术的前沿,只在最新的节点上设计和生产芯片,然后迅速转向新技术。借助IFS转向第三方晶圆代工模式,需要使其当前节点保持更长时间的运行和生产,从而最大限度地提高其在工具和设备方面的投资。这意味着其目前领先的IFS节点,如Intel3、20A和18A,最终将在未来作为成熟节点过渡到生产。
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