据日经新闻、路透社等媒体报道，英特尔首席执行官基辛格（Gelsinger）21日在首次举办的晶圆代工大会“IFS Direct Connect”上，首次发表了Intel 14A技术，并将其称为“1.4纳米技术”。

尽管在芯片晶体管密度方面，英特尔落后于台积电和三星电子，后两者均已经能够生产3纳米芯片，而英特尔还停留在5纳米阶段，但英特尔正努力追赶。这三家公司都计划在2025年底前投产2纳米芯片。其中，三星更是将目标定在2027年实现1.4纳米等级芯片的量产，而台积电则设定在2027年至2028年之间。

据市场研究机构Counterpoint的数据显示，目前台积电在晶圆代工市场的占有率接近60%，位居第一；三星以约13%的市占率位居第二；而联电（UMC）则以6%的市占率位列第三。

基辛格在会上重申，英特尔的目标是在2030年底前成为全球第二大晶圆代工厂，并强调人工智能（AI）的快速发展正带动芯片需求的剧增。

英特尔计划于2024年晚些时候推出18A技术，旨在打造全球速度最快的芯片，并计划通过Intel 14A技术进一步领先市场，直至2026年。

这次Intel 14A技术的公布，是英特尔首次向公众展示其2025年后的产品蓝图细节。此外，英特尔还确认了他们“4年内5个制程节点”（5Y4N）的计划将如期进行。

此外，英特尔还宣布与全球移动设备硅知识产权（IP）领军企业安谋（Arm Holdings Plc）达成合作，以提升其晶圆厂代工采用ARM架构芯片的能力。这一合作有望进一步巩固英特尔在全球晶圆代工市场的地位。