报告将展示EUV工艺、掩模和计量学的进展，包括在光刻胶和底层开发、掩模增强、光学接近校正（OPC）开发、分辨率场拼接、减少随机故障以及改进计量和检测方面的主要成就。

imec的高级副总裁Steven Scheer表示，随着第一台高数值孔径EUV光刻机（TWINSCAN EXE：5000）的组装完成，imec与ASML的联合High-NA EUV实验室即将投入运营。该实验室不仅将为客户提供访问权限，还安装了相关的设备和流程，使客户能在晶圆厂运行前尽早开始High-NA EUV学习。

此次展示的一项关键技术是“场拼接”，场拼接是High-NA的一个关键推动因素：由于变形镜头（即在x和y方向上具有不同去放大倍率的镜头），因此需要场拼接，导致场尺寸是传统扫描仪场尺寸的一半。imec将分享其在 NXE: 3400C 扫描仪上实现高分辨率拼接的最新见解，高分辨率拼接将减少对设计更改的需要，以应对视场尺寸的减小。

在材料和工艺方面，imec展示了金属氧化物光刻胶（MOR）在EUV剂量减少方面的显著进步。通过优化特定底层的选择、开发工艺以及掩模的吸收剂、偏置和色调，imec实现了线条和空间剂量减少20%以上，同时并没有增加粗糙度或随机失效故障。此外，尖端到尖端的尺寸并未受到这些剂量减少活动的负面影响。剂量减少工作仍在继续，并受到我们的芯片制造商的高度赞赏，因为它由于扫描仪吞吐量更高而导致 EUV 成本降低。

通过使用 MOR 抗蚀剂和二元明场掩模进行接触孔图案化，获得了意想不到的结果。与在同一叠层中转移的正色调化学放大抗蚀剂 (CAR) 和二元暗场掩模相比，图案转移后剂量减少了 6%，局部 CD 均匀性 (LCDU) 提高了 30%。用于接触孔的明场掩模的另一个问题是掩模质量和缺陷率。这需要仔细研究才能使 MOR 成为接触孔的选择。在此之前，带有暗场掩模的正色调 CAR 抗蚀剂将成为高数值孔径 EUV 中接触和通孔图案化的主要候选者。

High NA还需要改进计量和检测，提供更高的分辨率（通过高数值孔径）和更薄的薄膜（通过减小焦深 (DOF)）。Imec 将展示电子束和深紫外 (DUV) 检测的新结果，表明新的最知名方法 (BKM) 已到位，可以发现高 NA 相关的随机图案故障，例如六边形接触孔。此外，还将提出几种机器学习技术（基于去噪 SEM 显微照片）来促进小缺陷的检查和分类。

最后，imec 和合作伙伴将介绍通过源掩模优化和变形掩模 OPC（考虑拼接的需要）实现的成像改进。

免责声明：文章编译整理自www.imec-int.com，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。