SK海力士传拟赴美造HBM先进封装厂

2024-03-27 作者: 编辑

英伟达(Nvidia Corp.)的高频宽内存(HBM)关键供应伙伴SK海力士(SK Hynix)近日传出计划在美国印第安纳州投资约40亿美元,建设一座先进的芯片封装厂。

 

华尔街日报援引消息人士的话称,该厂址邻近普渡大学,预计将创造800至1000个新的工作机会。普渡大学的半导体及电子工程学系在全美颇具盛名,其技术熟练的工程师队伍被认为是SK海力士选址的重要考量因素。

 

虽然SK海力士发言人表示,公司正在审视这一投资计划,尚未做出最终决定,但消息人士透露,州政府和联邦政府都将提供包括抵税优惠在内的补助,以支持这项建厂计划。预计该封装厂将于2028年开始运作。

 

这座先进封装厂的建设不仅是SK海力士在美国市场拓展的重要一步,也是拜登政府芯片法案(U.S. Chips Act)推动本土芯片制造战略的一部分。拜登政府正努力通过提供财政支持和优惠政策,吸引全球领先的芯片制造商在美国建设生产基地,以提升本土芯片产业的竞争力。

 

SemiAnalysis首席分析师Dylan Patel表示,SK海力士的工厂有望成为全美第一座HBM大规模封装厂。根据SemiAnalysis的估计,SK海力士在HBM市场的份额约为73%,是该领域的领军企业。通过在美国建设封装厂,SK海力士将进一步巩固其市场地位,并可能抵御来自其他竞争对手的压力。

 

此外,这一举措还有望推动美国本土的芯片供应。目前,SK海力士在韩国生产HBM芯片,然后运往台积电在中国台湾的工厂进行集成。如果在印第安纳州建设封装厂,SK海力士将能够在美国本土完成HBM芯片的封装和集成工作,从而进一步降低对台湾先进芯片的依赖。

 

韩国产业经贸研究院研究员Kim Yang-paeng指出,如果SK海力士在美国成功建设HBM内存的先进封装设备,并与台积电在亚利桑那州的晶圆厂形成协同,那么英伟达将有可能直接在美国生产GPU。这将是一个重大的转变,标志着美国在全球芯片产业链中的地位将得到进一步提升。

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