韩国内存大厂SK海力士在4月19日宣布，将与台积电展开深度合作，共同致力于下一代HBM（高带宽内存）产品的生产和先进封装技术的研发。双方近期已签署谅解备忘录（MOU）。

SK海力士作为AI应用内存领域的领先者，此次与台积电的合作将进一步加强其在HBM技术领域的市场领先地位。通过构建IC设计厂、晶圆代工厂、内存厂三方技术合作的方式，双方将共同实现内存产品性能的新突破。

在合作中，两家公司将首先针对HBM封装内最底层的基础裸片进行性能改善。HBM是通过将多个DRAM裸片堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片在HBM结构中发挥着关键作用，不仅连接DRAM裸片，还连接至GPU，对HBM进行控制。

值得一提的是，SK海力士在以往的HBM产品中，包括HBM3E（第五代HBM产品），都是采用自家制程技术来制造基础裸片。然而，从HBM4产品开始，SK海力士计划采用台积电的先进逻辑制程技术。通过采用台积电的超细微制程技术，基础裸片将能够增加更多的功能，从而生产出在性能和功效等方面更能满足客户需求的定制化HBM产品。

此外，SK海力士与台积电还将共同优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术的融合。通过这一合作，双方将能够更好地应对HBM相关客户的要求，提供更优质、更高效的解决方案。

SK海力士与台积电的合作将推动HBM技术的进一步发展，为高性能计算、人工智能和图形应用等领域提供更强劲的动力。