据Wccftech引述韩国媒体DealSite的报道，HBM厂商如美光（Micron）和SK海力士（SK Hynix）正面临良率低迷的困境，并为了在英伟达下一代AI GPU的质量测试中脱颖而出而激烈竞争。

HBM良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响，这涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通硅晶穿孔（TSV）技术。这些复杂技术增加了制程缺陷的风险，可能导致良率低于设计较简单的内存产品。

此外，由于HBM只要有一个芯片存在缺陷，整个封装就需要被丢弃，因此产量相对较低。据报道，HBM的整体良率目前约为65%，但如果厂商试图提高良率，产量将相应下降。

尽管面临挑战，美光已于2月26日宣布开始量产高频内存“HBM3E”，这将应用于英伟达最新的AI芯片“H200” Tensor Core图形处理器（GPU）。H200计划于2024年第二季度出货，以取代当前算力最强大的H100。

与此同时，SK海力士副社长金起台(Kim Ki-tae) 在2月21日的官方博客中表示，尽管外部不稳定因素仍存，但今年内存市场有望逐渐回暖。这主要得益于全球大型科技客户产品需求的恢复，以及PC或智能手机等AI设备对人工智能应用的需求增长，这不仅有望提升HBM3E的销量，还可能增加DDR5、LPDDR5T等产品的需求。

金起台进一步指出，该公司今年的HBM产品已经全部售罄。尽管2024年才刚刚开始，但为了保持市场领先地位，公司已经开始为2025年做准备。