功率半导体模块在电动汽车和混合动力车中扮演着至关重要的角色，主要负责电能的控制与转换。

随着全球汽车行业，尤其是新能源汽车的快速发展，市场对功率半导体的需求持续增长。而上汽英飞凌的此次扩建项目正是顺应这一趋势。

根据公告，扩建后的产线将专注于第二代框架式功率模块的生产，这一产品具有高功率密度和低能量损耗的特点。

该模块通过引入最新的第7代IGBT/EDT2芯片及先进的模块封装技术，在电动汽车能效提升方面再次取得了重要突破。

除了上述优势，上汽英飞凌也领先在氮化镓（GaN）功率半导体领域。该公司在300mm氮化镓功率半导体晶圆技术上取得了全球首项突破，这一成果显著提升了其产品的市场竞争力，并可能引领行业向更高效、更加节能的方向发展。

上汽英飞凌的无锡分公司成立于2018年，由上汽集团与英飞凌合资创建，专注于汽车功率半导体的研发和生产，其前身是1995年成立的西门子半导体无锡工厂，专注于半导体的后道封装测试与功率模块生产。

目前，上汽英飞凌无锡工厂已成为全球最大IGBT生产基地之一，并在2023年曾推出了新的投资方案，推动新一轮的技术与设备更新。

业内人士指出，此次无锡产线扩建不仅将进一步巩固上汽英飞凌在行业中的领先地位，还将为当地经济发展注入新动力。项目实施后，预计将创造更多就业机会，并推动相关产业链的协同发展。